4GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, 512x8, 1.5V https://m9.by
  • 4GB DDR3-1600  GOODRAM, PC12800, CL11, 512x8, 1.5V
Atenţie! Înainte de a cumpăra, verificați caracteristicile și configurația mărfii cu vânzătorul. Aspectul mărfurilor și / sau ambalajelor poate fi modificat de producător și diferă de cele afișate pe site-ul web Cosmo Technology ©
4GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, 512x8, 1.5V
Default
Tip de dispozitiv Оперативная память
Marca GOODRAM
Factorul de formă DIMM
Tipul de memorie DDR3
Dimensiunea RAM 4Gb
Frecvența memoriei 1600
Numărul de sloturi de memorie SINGLE

Spune-ţi opinia

Notă: Codul HTML este citit ca şi text!
    Rău           Bun

4GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, 512x8, 1.5V

  • Producător: GOODRAM
  • Cod furnizor: 802-00000175
  • Disponibilitate: În Stoc!
  • 534 MDL




Etichete: 4GB DDR3-1600 GOODRAM, PC12800, CL11, 512x8, 1.5V

Recomandări

Power Supply ATX 500W GAMEMAX GP-500, 80+ Bronze, Active PFC, 140mm silent fan, Retail

Power Supply ATX 500W GAMEMAX GP-500, 80+ Bronze, Active PFC, 140mm silent fan, Retail

Power Supply ATX 500W GAMEMAX GP-500, 80+ Bronze, Active PFC, 140mm Ultra Silent Fan. ..

801 MDL

3.5" HDD 10.0TB  Western Digital WD102KRYZ Enterprise® Gold™, 512E model, 24x7, 7200rpm, 256MB, SATAIII

3.5" HDD 10.0TB Western Digital WD102KRYZ Enterprise® Gold™, 512E model, 24x7, 7200rpm, 256MB, SATAIII

3.5" HDD 10.0TB Western Digital WD102KRYZ Enterprise® Gold™, 512E model, 24x7, 7200rpm, 256MB, SATA..

7 743 MDL

M.2 NVMe SSD 256GB Silicon Power A60, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 2100 MB/s, Sequential Writes 1400 MB/s

M.2 NVMe SSD 256GB Silicon Power A60, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Sequential Reads 2100 MB/s, Sequential Writes 1400 MB/s

M.2 NVMe SSD 256GB Silicon Power A60, Interface: PCIe3.0 x4 / NVMe1.3, M2 Type 2280 form factor, Seq..

1 032 MDL